- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11568 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H01L 27/11568
Brevets de cette classe: 828
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Kioxia Corporation | 9847 |
100 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
92 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
86 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
85 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
74 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
51 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
48 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
33 |
| Longitude Flash Memory Solutions Ltd. | 297 |
31 |
| Infineon Technologies LLC | 597 |
27 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
25 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
21 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
11 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
9 |
| GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd. | 734 |
8 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
6 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
5 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
5 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
5 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
4 |
| Autres propriétaires | 102 |